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N-Channel 650 V 15A - Surface Mount Die
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | GaNPower | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | Die | |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Series | - | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 15A | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.2V @ 3.5mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 3.3 nC @ 6 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | Die | |
Vgs (Máx.) | +7.5V, -12V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 116 pF @ 400 V | |
Dissipação de energia (máx.) | - | |
Outros nomes | 4025-GPI65015DFNTR |
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