GPI65010DF56

GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
Número da pe?a NOVA:
312-2280509-GPI65010DF56
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
GPI65010DF56
Embalagem padr?o:
1
Ficha técnica:

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N-Channel 650 V 10A - Surface Mount Die

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteGaNPower
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Die
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 10A
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)6V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 3.5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.6 nC @ 6 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoDie
Vgs (Máx.)+7.5V, -12V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 90 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) -
Outros nomes4025-GPI65010DF56TR

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