IPD30N08S2L21ATMA1

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MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2282028-IPD30N08S2L21ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD30N08S2L21ATMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 75 V 30A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-11
Número do produto base	IPD30N08
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	30A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20.5mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 80µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	72 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	75 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1650 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	136W (Tc)
Outros nomes	IPD30N08S2L21 IPD30N08S2L21ATMA1TR SP000252170 IPD30N08S2L-21-ND IPD30N08S2L-21CT IFEINFIPD30N08S2L21ATMA1 IPD30N08S2L-21 IPD30N08S2L21ATMA1DKR IPD30N08S2L-21TR-ND IPD30N08S2L21ATMA1CT IPD30N08S2L-21DKR IPD30N08S2L-21DKR-ND IPD30N08S2L-21CT-ND 2156-IPD30N08S2L21ATMA1