IPD50N10S3L16ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3

Número da pe?a NOVA:

312-2288443-IPD50N10S3L16ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPD50N10S3L16ATMA1

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 50A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO252-3-11
Número do produto base	IPD50N10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	50A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	15mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 60µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	64 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4180 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	100W (Tc)
Outros nomes	IPD50N10S3L16ATMA1CT IPD50N10S3L-16DKR IPD50N10S3L-16CT-ND IPD50N10S3L-16TR-ND IPD50N10S3L-16 IPD50N10S3L-16TR IPD50N10S3L16ATMA1DKR IPD50N10S3L16ATMA1TR IPD50N10S3L-16DKR-ND IPD50N10S3L16 SP000386185 IPD50N10S3L-16-ND IPD50N10S3L-16CT