IPB015N08N5ATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7

Número da pe?a NOVA:

312-2283577-IPB015N08N5ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPB015N08N5ATMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 80 V 180A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-7
Número do produto base	IPB015
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 279µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	222 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	80 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	16900 pF @ 40 V
Dissipação de energia (máx.)	375W (Tc)
Outros nomes	IPB015N08N5ATMA1TR IPB015N08N5ATMA1CT IPB015N08N5ATMA1DKR SP001226034 IPB015N08N5ATMA1-ND