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N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PG-TO263-7 | |
Número do produto base | IPB019 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | OptiMOS™ | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 180A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 270µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 206 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 80 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 14200 pF @ 40 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 300W (Tc) | |
Outros nomes | IPB019N08N3GATMA1CT IPB019N08N3 G-ND IPB019N08N3 G Q4136793 IPB019N08N3 GCT IPB019N08N3 GTR-ND IPB019N08N3GATMA1TR SP000444110 2832-IPB019N08N3GATMA1-TR IPB019N08N3G IPB019N08N3 GCT-ND IPB019N08N3 GDKR-ND IPB019N08N3 GDKR IPB019N08N3GATMA1DKR |
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