NTMS10P02R2G

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MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC

Número da pe?a NOVA:

312-2290452-NTMS10P02R2G

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NTMS10P02R2G

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 20 V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-SOIC
Número do produto base	NTMS10
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.8A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	14mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)	±12V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3640 pF @ 16 V
Dissipação de energia (máx.)	1.6W (Ta)
Outros nomes	NTMS10P02R2GOSCT 2156-NTMS10P02R2G-OS NTMS10P02R2GOS NTMS10P02R2GOSDKR NTMS10P02R2GOSTR =NTMS10P02R2GOSCT-ND NTMS10P02R2GOS-ND ONSONSNTMS10P02R2G