FDS6575

MOSFET P-CH 20V 10A 8SOIC
Número da pe?a NOVA:
312-2263156-FDS6575
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
FDS6575
Embalagem padr?o:
2,500
Ficha técnica:

Formato de download disponível

P-Channel 20 V 10A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricanteonsemi
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 8-SOIC
Número do produto base FDS65
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesPowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 10A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74 nC @ 4.5 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Vgs (Máx.)±8V
Tipo FETP-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)20 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 4951 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 2.5W (Ta)
Outros nomesONSONSFDS6575
FDS6575-ND
FDS6575TR
FDS6575CT
FDS6575DKR
2156-FDS6575-OS

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