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N-Channel 60 V 2A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount UFM
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Toshiba Semiconductor and Storage | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | 150°C | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | UFM | |
Número do produto base | SSM3K2615 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | π-MOSV | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 2A (Ta) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 3.3V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 300mOhm @ 1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | 3-SMD, Flat Leads | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 60 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 150 pF @ 10 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 800mW (Ta) | |
Outros nomes | SSM3K2615TULFDKR SSM3K2615TU,LF(B SSM3K2615TULFCT SSM3K2615TULFTR SSM3K2615TULF SSM3K2615TULF(B |
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