SQJQ112E-T1

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SQJQ112E-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)

Número da pe?a NOVA:

312-2288833-SQJQ112E-T1_GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SQJQ112E-T1_GE3

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 296A (Tc) 600W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 8 x 8
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	296A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.53mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	272 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 8 x 8
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	15945 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	600W (Tc)
Outros nomes	742-SQJQ112E-T1_GE3CT 742-SQJQ112E-T1_GE3TR 742-SQJQ112E-T1_GE3DKR