IPT020N10N5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 31A/260A 8HSOF

Número da pe?a NOVA:

312-2283563-IPT020N10N5ATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IPT020N10N5ATMA1

Embalagem padr?o:

2,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 31A (Ta), 260A (Tc) 273W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-HSOF-8-1
Número do produto base	IPT020
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™5
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	31A (Ta), 260A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 150A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 202µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	152 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerSFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	11000 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	273W (Tc)
Outros nomes	448-IPT020N10N5ATMA1DKR SP003883410 448-IPT020N10N5ATMA1TR 448-IPT020N10N5ATMA1CT