BSC252N10NSFGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 7.2A/40A TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2281363-BSC252N10NSFGATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC252N10NSFGATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 7.2A (Ta), 40A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC252
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	7.2A (Ta), 40A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	25.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 43µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	1100 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	78W (Tc)
Outros nomes	BSC252N10NSF GCT BSC252N10NSF GDKR BSC252N10NSF G BSC252N10NSFGATMA1CT BSC252N10NSFGATMA1TR BSC252N10NSFGATMA1DKR SP000379608 BSC252N10NSF G-ND BSC252N10NSF GCT-ND BSC252N10NSF GDKR-ND BSC252N10NSF GTR-ND BSC252N10NSF GTR