BSC196N10NSGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2263414-BSC196N10NSGATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC196N10NSGATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC196
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.5A (Ta), 45A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 42µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	78W (Tc)
Outros nomes	BSC196N10NSGATMA1TR BSC196N10NSGATMA1DKR SP000379604 BSC196N10NS GTR-ND BSC196N10NS GCT BSC196N10NS GDKR BSC196N10NS GDKR-ND BSC196N10NSG BSC196N10NS GCT-ND BSC196N10NSGATMA1CT BSC196N10NS G-ND BSC196N10NS G