TPN3300ANH,LQ

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MOSFET N-CH 100V 9.4A 8TSON

Número da pe?a NOVA:

312-2277595-TPN3300ANH,LQ

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

TPN3300ANH,LQ

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 9.4A (Tc) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Toshiba Semiconductor and Storage
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-TSON Advance (3.3x3.3)
Número do produto base	TPN3300
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	U-MOSVIII-H
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	9.4A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 100µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	11 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerVDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	880 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	700mW (Ta), 27W (Tc)
Outros nomes	TPN3300ANHLQ TPN3300ANH,LQ(S TPN3300ANHLQDKR TPN3300ANHLQTR TPN3300ANHLQCT