SQSA12CENW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 100 V (D-S)
Número da pe?a NOVA:
312-2296770-SQSA12CENW-T1_GE3
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
SQSA12CENW-T1_GE3
Embalagem padr?o:
3,000

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N-Channel 100 V 18A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8W

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteVishay Siliconix
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor PowerPAK® 1212-8W
TecnologiaMOSFET (Metal Oxide)
SeriesAutomotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 47 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoPowerPAK® 1212-8W
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 2900 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.) 62.5W (Tc)
Outros nomes742-SQSA12CENW-T1_GE3DKR
742-SQSA12CENW-T1_GE3TR
742-SQSA12CENW-T1_GE3CT

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