SISA72DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK1212-8

Número da pe?a NOVA:

312-2285005-SISA72DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SISA72DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 40 V 60A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8
Número do produto base	SISA72
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30 nC @ 4.5 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8
Vgs (Máx.)	+20V, -16V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	40 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3240 pF @ 20 V
Dissipação de energia (máx.)	52W (Tc)
Outros nomes	SISA72DN-T1-GE3TR SISA72DN-T1-GE3DKR SISA72DN-T1-GE3CT