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N-Channel 40 V 31.7A (Ta), 109A (Tc) 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8S | |
Número do produto base | SISS10 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | TrenchFET® Gen IV | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 31.7A (Ta), 109A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 15A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 61 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8S | |
Vgs (Máx.) | +20V, -16V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3030 pF @ 20 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 4.8W (Ta), 56.8W (Tc) | |
Outros nomes | SISS10ADN-T1-GE3TR SISS10ADN-T1-GE3CT SISS10ADN-T1-GE3DKR |
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