SISS05DN-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET P-CH 30V 29.4A/108A PPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2280747-SISS05DN-T1-GE3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SISS05DN-T1-GE3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

P-Channel 30 V 29.4A (Ta), 108A (Tc) 5W (Ta), 65.7W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PowerPAK® 1212-8S
Número do produto base	SISS05
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	TrenchFET® Gen IV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	29.4A (Ta), 108A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	115 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	PowerPAK® 1212-8S
Vgs (Máx.)	+16V, -20V
Tipo FET	P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	4930 pF @ 15 V
Dissipação de energia (máx.)	5W (Ta), 65.7W (Tc)
Outros nomes	SISS05DN-T1-GE3CT SISS05DN-T1-GE3DKR SISS05DN-T1-GE3TR