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P-Channel 30 V 25.9A (Ta), 94A (Tc) 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8S
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | PowerPAK® 1212-8S | |
Número do produto base | SISS65 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | TrenchFET® Gen III | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 25.9A (Ta), 94A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.6mOhm @ 15A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 138 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | PowerPAK® 1212-8S | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4930 pF @ 15 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 5.1W (Ta), 65.8W (Tc) | |
Outros nomes | SISS65DN-T1-GE3DKR SISS65DN-T1-GE3CT SISS65DN-T1-GE3TR |
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