R8002CND3FRATL

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MOSFET N-CH 800V 2A TO252

Número da pe?a NOVA:

312-2273643-R8002CND3FRATL

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

R8002CND3FRATL

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 800 V 2A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount TO-252

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252
Número do produto base	R8002
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	Automotive, AEC-Q101
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.5V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	12.1 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	800 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	240 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	69W (Tc)
Outros nomes	846-R8002CND3FRATLCT 846-R8002CND3FRATLDKR 846-R8002CND3FRATLTR