FQD2N100TM

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MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

Número da pe?a NOVA:

312-2280525-FQD2N100TM

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FQD2N100TM

Embalagem padr?o:

2,500

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-252AA
Número do produto base	FQD2N100
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	QFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	1.6A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Máx.)	±30V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1000 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	520 pF @ 25 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Outros nomes	FQD2N100TMTR FQD2N100TM-ND FQD2N100TMCT ONSONSFQD2N100TM 2156-FQD2N100TM-OS FQD2N100TMDKR