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Mosfet Array N and P-Channel 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-23
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays | |
Fabricante | Diodes Incorporated | |
RoHS | 1 | |
Embalagem | Tape & Reel (TR) | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Surface Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TSOT-23 | |
Número do produto base | DMG6602 | |
Pacote / Estojo | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | |
Series | - | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 3.4A, 2.8A | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.1A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V | |
Recurso FET | Logic Level Gate, 4.5V Drive | |
Tipo FET | N and P-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 30V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 15V | |
Potência - Máx. | 840mW | |
Outros nomes | DMG6602SVT-7DITR DMG6602SVT7 DMG6602SVT-7DICT DMG6602SVT-7DIDKR |
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