SI3590DV-T1-E3

MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP

Número da pe?a NOVA:

303-2247713-SI3590DV-T1-E3

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

SI3590DV-T1-E3

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

Mosfet Array N and P-Channel 30V 2.5A, 1.7A 830mW Surface Mount 6-TSOP

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Arrays
Fabricante	Vishay Siliconix
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	6-TSOP
Número do produto base	SI3590
Pacote / Estojo	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Series	TrenchFET®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	2.5A, 1.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	77mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.5nC @ 4.5V
Recurso FET	Logic Level Gate
Tipo FET	N and P-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	30V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potência - Máx.	830mW
Outros nomes	SI3590DV-T1-E3CT SI3590DV-T1-E3TR SI3590DV-T1-E3DKR SI3590DVT1E3

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