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Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 600 mA 200MHz 400 mW Through Hole TO-18
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | Central Semiconductor Corp | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-18 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 50mA, 500mA | |
Frequência - Transição | 200MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10nA (ICBO) | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 60 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 600 mA | |
Tipo de transistor | PNP | |
Potência - Máx. | 400 mW | |
Outros nomes | 1514-2N2907APBFREE 2N2907ACS 2N2907ACS-ND 2N2907A LEAD FREE |
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