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Bipolar (BJT) Transistor Array 40V 800mA 1.2W Through Hole TO-18
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Matrizes | |
Fabricante | Solid State Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -65°C ~ 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-18 | |
Número do produto base | 2N2222 | |
Pacote / Estojo | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can | |
Series | - | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 75 @ 10mA, 10V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10nA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 40V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 800mA | |
Potência - Máx. | 1.2W | |
Outros nomes | 2383-2N2222A |
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