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Bipolar (BJT) Transistor NPN 130 V 1 A 70MHz 800 mW Through Hole TO-39
Categoria | Transistores - Bipolar (BJT) - Simples | |
Fabricante | Solid State Inc. | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | 200°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-39 | |
Series | - | |
Pacote / Estojo | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can | |
Ganho de Corrente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V | |
Saturação Vce (Max) @ Ib, Ic | 500mV @ 15mA, 150mA | |
Frequência - Transição | 70MHz | |
Corrente - Corte do Coletor (Máx) | 10nA | |
Tensão - Decomposição do Emissor do Coletor (Máx.) | 130 V | |
Corrente - Coletor (Ic) (Máx) | 1 A | |
Tipo de transistor | NPN | |
Potência - Máx. | 800 mW | |
Outros nomes | 2383-2N1711 |
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