FDMS86101

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MOSFET N-CH 100V 12.4A/60A 8PQFN

Número da pe?a NOVA:

312-2280914-FDMS86101

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

FDMS86101

Embalagem padr?o:

3,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 100 V 12.4A (Ta), 60A (Tc) 2.5W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	8-PQFN (5x6)
Número do produto base	FDMS86
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	PowerTrench®
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	12.4A (Ta), 60A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3000 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	2.5W (Ta), 104W (Tc)
Outros nomes	FDMS86101TR FDMS86101CT FDMS86101DKR