BSC105N10LSFGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON

Número da pe?a NOVA:

312-2277818-BSC105N10LSFGATMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

BSC105N10LSFGATMA1

Embalagem padr?o:

5,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 100 V 11.4A (Ta), 90A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TDSON-8-1
Número do produto base	BSC105
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Series	OptiMOS™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	11.4A (Ta), 90A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.4V @ 110µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53 nC @ 10 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	8-PowerTDFN
Vgs (Máx.)	±20V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	100 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3900 pF @ 50 V
Dissipação de energia (máx.)	156W (Tc)
Outros nomes	BSC105N10LSF G-ND BSC105N10LSFGATMA1DKR BSC105N10LSFGATMA1CT BSC105N10LSF G BSC105N10LSFGATMA1TR SP000388502