N-Channel 650 V 15A - Surface Mount Die
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | GaNPower | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | Die | |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 15A | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 6V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 1.2V @ 3.5mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 3.3 nC @ 6 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | Die | |
Vgs (最大) | +7.5V, -12V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 123 pF @ 400 V | |
消費電力(最大) | - | |
その他の名前 | 4025-GPI65015TO |
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