GPI65010DF56

GANFET N-CH 650V 10A DFN 5X6
NOVA部品番号:
312-2280509-GPI65010DF56
製造元:
製造メーカー部品番号:
GPI65010DF56
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

N-Channel 650 V 10A - Surface Mount Die

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元GaNPower
RoHS 1
パッケージングTape & Reel (TR)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ Die
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 10A
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)6V
Vgs(th) (最大) @ ID 1.4V @ 3.5mA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 2.6 nC @ 6 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースDie
Vgs (最大)+7.5V, -12V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 90 pF @ 400 V
消費電力(最大) -
その他の名前4025-GPI65010DF56TR

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。