アルミニウム ワシ オーカード パッド キッカド 
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
NOVA部品番号:
312-2264341-TP65H480G4JSG-TR
製造元:
製造メーカー部品番号:
TP65H480G4JSG-TR
ひょうじゅんほうそう:
500
技術データシート:
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N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | 3-PQFN (5x6) | |
| 基本製品番号 | TP65H480 | |
| テクノロジー | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 8V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 560mOhm @ 3.4A, 8V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.8V @ 500µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 9 nC @ 8 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | 3-SMD, Flat Lead | |
| Vgs (最大) | ±18V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 760 pF @ 400 V | |
| 消費電力(最大) | 13.2W (Tc) | |
| その他の名前 | 1707-TP65H480G4JSG-TR 1707-TP65H480G4JSG-DKR 1707-TP65H480G4JSG-CT |
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