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G3R350MT12J
SIC MOSFET N-CH 11A TO263-7
NOVA部品番号:
312-2263417-G3R350MT12J
製造メーカー部品番号:
G3R350MT12J
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
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N-Channel 1200 V 11A (Tc) 75W (Tc) Surface Mount TO-263-7
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-263-7 | |
| 基本製品番号 | G3R350 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | G3R™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 11A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 420mOhm @ 4A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.69V @ 2mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 12 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (最大) | ±15V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 334 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 75W (Tc) | |
| その他の名前 | 1242-G3R350MT12J |
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