- 750 V - - Through Hole TO-247-3
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | - | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-3 | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | G3R™ | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | - | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | - | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | - | |
Vgs(th) (最大) @ ID | - | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-3 | |
Vgs (最大) | - | |
FETタイプ | - | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 750 V | |
消費電力(最大) | - | |
その他の名前 | 1242-G3R60MT07D |
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