G2R1000MT17J

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
NOVA部品番号:
312-2283620-G2R1000MT17J
製造メーカー部品番号:
G2R1000MT17J
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元GeneSiC Semiconductor
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ TO-263-7
基本製品番号 G2R1000
テクノロジーSiCFET (Silicon Carbide)
シリーズG2R™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 3A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)20V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 1.2Ohm @ 2A, 20V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 2mA
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (最大)+20V, -10V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)1700 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 139 pF @ 1000 V
消費電力(最大) 54W (Tc)
その他の名前1242-G2R1000MT17J

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