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NTH4L040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 58A TO247-4
NOVA部品番号:
312-2263632-NTH4L040N120SC1
製造元:
製造メーカー部品番号:
NTH4L040N120SC1
ひょうじゅんほうそう:
450
技術データシート:
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N-Channel 1200 V 58A (Tc) 319W (Tc) Through Hole TO-247-4L
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4L | |
| 基本製品番号 | NTH4L040 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | - | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 58A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 20V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 56mOhm @ 35A, 20V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.3V @ 10mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 106 nC @ 20 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-247-4 | |
| Vgs (最大) | +25V, -15V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 1762 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 319W (Tc) | |
| その他の名前 | 488-NTH4L040N120SC1 |
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