N-Channel 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Through Hole TO-247-4L
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | onsemi | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
取付タイプ | Through Hole | |
サプライヤーデバイスパッケージ | TO-247-4L | |
テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 68A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 18V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 30mOhm @ 40A, 18V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 4.4V @ 20mA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 151 nC @ 18 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | TO-247-4 | |
Vgs (最大) | +22V, -10V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 3175 pF @ 800 V | |
消費電力(最大) | 352W (Tc) | |
その他の名前 | 488-NTH4L022N120M3S |
あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。