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G3R20MT12N
SIC MOSFET N-CH 105A SOT227
NOVA部品番号:
312-2289975-G3R20MT12N
製造メーカー部品番号:
G3R20MT12N
ひょうじゅんほうそう:
10
技術データシート:
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N-Channel 1200 V 105A (Tc) 365W (Tc) Chassis Mount SOT-227
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Chassis Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SOT-227 | |
| 基本製品番号 | G3R20 | |
| テクノロジー | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| シリーズ | G3R™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 105A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 15V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 24mOhm @ 60A, 15V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 2.69V @ 15mA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 219 nC @ 15 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-227-4, miniBLOC | |
| Vgs (最大) | +20V, -10V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 1200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 5873 pF @ 800 V | |
| 消費電力(最大) | 365W (Tc) | |
| その他の名前 | 1242-G3R20MT12N |
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