IRFB31N20DPBF

MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2312520-IRFB31N20DPBF
製造メーカー部品番号:
IRFB31N20DPBF
ひょうじゅんほうそう:
1
技術データシート:

N-Channel 200 V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元International Rectifier
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220AB
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズHEXFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 31A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 82mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 5.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 107 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)±30V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 2370 pF @ 25 V
消費電力(最大) 3.1W (Ta), 200W (Tc)
その他の名前2156-IRFB31N20DPBF
IFEIRFIRFB31N20DPBF

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