アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
IRFB38N20DPBF
MOSFET N-CH 200V 43A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2289047-IRFB38N20DPBF
製造メーカー部品番号:
IRFB38N20DPBF
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 200 V 43A (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc) Through Hole TO-220AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| 基本製品番号 | IRFB38 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 43A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 54mOhm @ 26A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 91 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 2900 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 3.8W (Ta), 300W (Tc) | |
| その他の名前 | SP001556010 *IRFB38N20DPBF |
In stock もっと必要ですか。
$1.44140
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
IRFB4310PBFInfineon Technologies- IRFB4229PBFInfineon Technologies
- IRFB4127PBFInfineon Technologies
IRFP260NPBFInfineon Technologies- IRFB4110PBFInfineon Technologies
- IRFP064NPBFInfineon Technologies
IRFBG20PBFVishay Siliconix- IRFB4227PBFInfineon Technologies
- IRF640NPBFInfineon Technologies
FQP34N20onsemi
