SQM110P06-8M9L

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SQM110P06-8M9L_GE3

MOSFET P-CH 60V 110A TO263

NOVA部品番号:

312-2288816-SQM110P06-8M9L_GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SQM110P06-8M9L_GE3

ひょうじゅんほうそう:

800

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 60 V 110A (Tc) 230W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	TO-263 (D²Pak)
基本製品番号	SQM110
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	110A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	8.9mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	200 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	60 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	7450 pF @ 25 V
消費電力(最大)	230W (Tc)
その他の名前	SQM110P06-8M9L_GE3-ND SQM110P06-8M9L_GE3TR SQM110P06-8M9L_GE3CT SQM110P06-8M9L_GE3DKR