アルミニウム
ワシ
オーカード
パッド
キッカド
SQJQ480E-T1_GE3
MOSFET N-CH 80V 150A PPAK 8 X 8
NOVA部品番号:
312-2282986-SQJQ480E-T1_GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SQJQ480E-T1_GE3
ひょうじゅんほうそう:
2,000
技術データシート:
利用可能なダウンロード形式
フォームに情報を入力してください。すぐにご連絡し、cadモデルを差し上げます。
N-Channel 80 V 150A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 8 x 8
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | PowerPAK® 8 x 8 | |
| 基本製品番号 | SQJQ480 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 150A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 3mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 3.5V @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 144 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | PowerPAK® 8 x 8 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 80 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 8625 pF @ 25 V | |
| 消費電力(最大) | 136W (Tc) | |
| その他の名前 | SQJQ480E-T1_GE3DKR SQJQ480E-T1_GE3CT SQJQ480E-T1_GE3TR |
In stock お問い合わせください
あなたが望む価格ではありませんか？フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。
他にもお気に入りの製品が見つかりました！
SI7469ADP-T1-RE3Vishay Siliconix
TLP3109A(TP,FToshiba Semiconductor and Storage
BX310_R1_00001Panjit International Inc.
SQJA90EP-T1_GE3Vishay Siliconix
PCA9539AHF,128NXP USA Inc.
TLP3407S(TP,EToshiba Semiconductor and Storage
NRVTSA4100ET3Gonsemi
SMMBT2222ALT1Gonsemi
CZRB5343B-HFComchip Technology
IAUS240N08S5N019ATMA1Infineon Technologies
SQJ180EP-T1_GE3Vishay Siliconix
STL120N8F7STMicroelectronics
SQM110P06-8M9L_GE3Vishay Siliconix
SQM60030E_GE3Vishay Siliconix
