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IRF200B211
MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
NOVA部品番号:
312-2275547-IRF200B211
製造メーカー部品番号:
IRF200B211
ひょうじゅんほうそう:
50
技術データシート:
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N-Channel 200 V 12A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Through Hole | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | TO-220AB | |
| 基本製品番号 | IRF200 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | HEXFET®, StrongIRFET™ | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 12A (Tc) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 170mOhm @ 7.2A, 10V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 4.9V @ 50µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | TO-220-3 | |
| Vgs (最大) | ±20V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 200 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 790 pF @ 50 V | |
| 消費電力(最大) | 80W (Tc) | |
| その他の名前 | SP001561622 INFIRFIRF200B211 2156-IRF200B211 |
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