FQP19N20C

MOSFET N-CH 200V 19A TO220-3
NOVA部品番号:
312-2278845-FQP19N20C
製造元:
製造メーカー部品番号:
FQP19N20C
ひょうじゅんほうそう:
1,000
技術データシート:

N-Channel 200 V 19A (Tc) 139W (Tc) Through Hole TO-220-3

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元onsemi
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプThrough Hole
サプライヤーデバイスパッケージ TO-220-3
基本製品番号 FQP19
テクノロジーMOSFET (Metal Oxide)
シリーズQFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 19A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 170mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID 4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 53 nC @ 10 V
FETの特徴-
パッケージ・ケースTO-220-3
Vgs (最大)±30V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 1080 pF @ 25 V
消費電力(最大) 139W (Tc)

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