TPH3208LDG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN
NOVA部品番号:
312-2273360-TPH3208LDG
製造元:
製造メーカー部品番号:
TPH3208LDG
ひょうじゅんほうそう:
60
技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

More Information
カテゴリトランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元Transphorm
RoHS 1
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプSurface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ 3-PQFN (8x8)
テクノロジーGaNFET (Gallium Nitride)
シリーズ-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C 20A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (最大) @ ID 2.6V @ 300µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs 14 nC @ 8 V
FETの特徴-
パッケージ・ケース3-PowerDFN
Vgs (最大)±18V
FETタイプN-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)650 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds 760 pF @ 400 V
消費電力(最大) 96W (Tc)

In stock お問い合わせください

あなたが望む価格ではありませんか?フォームにご記入ください。至急ご連絡いたします。