N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
製造元 | Transphorm | |
RoHS | 1 | |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
取付タイプ | Surface Mount | |
サプライヤーデバイスパッケージ | 3-PQFN (8x8) | |
テクノロジー | GaNFET (Gallium Nitride) | |
シリーズ | - | |
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 20A (Tc) | |
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 10V | |
Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V | |
Vgs(th) (最大) @ ID | 2.6V @ 300µA | |
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 14 nC @ 8 V | |
FETの特徴 | - | |
パッケージ・ケース | 3-PowerDFN | |
Vgs (最大) | ±18V | |
FETタイプ | N-Channel | |
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 650 V | |
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 760 pF @ 400 V | |
消費電力(最大) | 96W (Tc) |
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