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SI1050X-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
NOVA部品番号:
312-2263398-SI1050X-T1-GE3
製造元:
製造メーカー部品番号:
SI1050X-T1-GE3
ひょうじゅんほうそう:
3,000
技術データシート:
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N-Channel 8 V 1.34A (Ta) 236mW (Ta) Surface Mount SC-89 (SOT-563F)
| カテゴリ | トランジスタ - FET、MOSFET - 単体 | |
| 製造元 | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| パッケージング | Tape & Reel (TR) | |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| 取付タイプ | Surface Mount | |
| サプライヤーデバイスパッケージ | SC-89 (SOT-563F) | |
| 基本製品番号 | SI1050 | |
| テクノロジー | MOSFET (Metal Oxide) | |
| シリーズ | TrenchFET® | |
| 電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C | 1.34A (Ta) | |
| 駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン) | 1.5V, 4.5V | |
| Rds オン (最大) @ Id、Vgs | 86mOhm @ 1.34A, 4.5V | |
| Vgs(th) (最大) @ ID | 900mV @ 250µA | |
| ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs | 11.6 nC @ 5 V | |
| FETの特徴 | - | |
| パッケージ・ケース | SOT-563, SOT-666 | |
| Vgs (最大) | ±5V | |
| FETタイプ | N-Channel | |
| ドレイン・ソース間電圧 (Vdss) | 8 V | |
| 入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds | 585 pF @ 4 V | |
| 消費電力(最大) | 236mW (Ta) | |
| その他の名前 | SI1050X-T1-GE3DKR SI1050X-T1-GE3CT SI1050XT1GE3 SI1050X-T1-GE3TR |
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