SI1012R-T1-GE3

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MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A

NOVA部品番号:

312-2282636-SI1012R-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI1012R-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 20 V 500mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount SC-75A

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	SC-75A
基本製品番号	SI1012
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	500mA (Ta)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	1.8V, 4.5V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	700mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (最大) @ ID	900mV @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	0.75 nC @ 4.5 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	SC-75, SOT-416
Vgs (最大)	±6V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	20 V
消費電力(最大)	150mW (Ta)
その他の名前	SI1012R-T1-GE3DKR SI1012RT1GE3 SI1012R-T1-GE3TR SI1012R-T1-GE3CT