SI7172DP-T1-GE3

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MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

NOVA部品番号:

312-2279694-SI7172DP-T1-GE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7172DP-T1-GE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

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ワシ

キッカド

N-Channel 200 V 25A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SI7172
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	TrenchFET®
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	25A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	6V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	70mOhm @ 5.9A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	77 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	2250 pF @ 100 V
消費電力(最大)	5.4W (Ta), 96W (Tc)
その他の名前	SI7172DP-T1-GE3CT SI7172DP-T1-GE3DKR SI7172DPT1GE3 SI7172DP-T1-GE3TR