SI7172ADP-T1-RE3

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MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8

NOVA部品番号:

312-2275071-SI7172ADP-T1-RE3

製造元:

製造メーカー部品番号:

SI7172ADP-T1-RE3

ひょうじゅんほうそう:

3,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 200 V 5.3A (Ta), 17.2A (Tc) - Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Vishay Siliconix
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 125°C
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PowerPAK® SO-8
基本製品番号	SI7172
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	-
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	5.3A (Ta), 17.2A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	7.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	50mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	3.1V @ 250µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	19.5 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	PowerPAK® SO-8
Vgs (最大)	-
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	200 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	1110 pF @ 100 V
消費電力(最大)	-
その他の名前	SI7172ADP-T1-RE3DKR SI7172ADP-RE3 SI7172ADP-T1-RE3CT SI7172ADP-T1-RE3TR