IPB180P04P4L02ATMA1

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MOSFET P-CH 40V 180A TO263-7

NOVA部品番号:

312-2283032-IPB180P04P4L02ATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPB180P04P4L02ATMA1

ひょうじゅんほうそう:

1,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

P-Channel 40 V 180A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-7-3
基本製品番号	IPB180
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	180A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	4.5V, 10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	2.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	2.2V @ 410µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	286 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (最大)	±16V
FETタイプ	P-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	18700 pF @ 25 V
消費電力(最大)	150W (Tc)
その他の名前	IPB180P04P4L02ATMA1DKR IPB180P04P4L02ATMA1TR SP000709460 IPB180P04P4L02ATMA1CT