IPB180N04S401ATMA1

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MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7

NOVA部品番号:

312-2361674-IPB180N04S401ATMA1

製造元:

製造メーカー部品番号:

IPB180N04S401ATMA1

ひょうじゅんほうそう:

1,000

技術データシート:

利用可能なダウンロード形式

ワシ

キッカド

N-Channel 40 V 180A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

More Information
カテゴリ	トランジスタ - FET、MOSFET - 単体
製造元	Infineon Technologies
RoHS	1
パッケージング	Tape & Reel (TR)
動作温度	-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ	Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ	PG-TO263-7-3
基本製品番号	IPB180
テクノロジー	MOSFET (Metal Oxide)
シリーズ	OptiMOS™
電流 - 連続ドレイン (Id) @ 25°C	180A (Tc)
駆動電圧 (最大 Rds オン、最小 Rds オン)	10V
Rds オン (最大) @ Id、Vgs	1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (最大) @ ID	4V @ 140µA
ゲート電荷 (Qg) (最大) @ Vgs	176 nC @ 10 V
FETの特徴	-
パッケージ・ケース	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Vgs (最大)	±20V
FETタイプ	N-Channel
ドレイン・ソース間電圧 (Vdss)	40 V
入力容量 (Ciss) (最大) @ Vds	14000 pF @ 25 V
消費電力(最大)	188W (Tc)
その他の名前	IPB180N04S401ATMA1TR IFEINFIPB180N04S401ATMA1 SP000705694 IPB180N04S4-01-ND IPB180N04S401ATMA1CT 2156-IPB180N04S401ATMA1 IPB180N04S401ATMA1DKR IPB180N04S4-01